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LED固晶膠污染芯片電極的機(jī)理(lǐ)和解決方案
發布時間:
2020-08-06 14:47
來(lái)源:
摘要:
在LED封裝過程中,固晶烘烤後經常發生(shēng)電極沾污的現象。本文分(fēn)析了污染物成分(fēn),發現污染物爲固晶膠揮發物,在此基礎上分(fēn)析了固晶膠沾污芯片電極的兩個可(kě)能的原因,并給出了相(xiàng)應的解決方案。
一、電極玷污現象
目前在LED封裝過程中經常出現固晶膠烘烤固化後,金電極上發生(shēng)有污染物附着,導緻無法焊線或焊線拉力不足的情況。
▲ 如(rú)上圖,用金相(xiàng)顯微鏡觀察電極上有明顯的污染物。
二、 原因分(fēn)析及解決方案
1、 污染物成分(fēn)
如(rú)圖,用電子能譜儀(EDS,EnergyDispersive Spectrometer,可(kě)分(fēn)析材料微區成分(fēn)元素的種類與含量)對芯片沾污部分(fēn)進行元素分(fēn)析,檢出了C、O、Si元素,而固晶膠的主要成分(fēn)是矽氧烷(元素爲H、C、O、Si),由于EDS無法測出H元素,故可(kě)以推測芯片電極污染物含有固晶膠成分(fēn)。
2 、原因分(fēn)析
通過元素分(fēn)析我們推測污染物爲固晶膠,說(shuō)明烘烤時固晶膠與電極發生(shēng)了某種結合。
▲ 如(rú)上圖,無爬膠痕迹
固晶膠可(kě)以通過揮發和爬膠的方式與電極接觸。但(dàn)是由顯微照(zhào)片分(fēn)析可(kě)以看(kàn)出芯片四周并沒有爬膠痕迹,因此可(kě)以排除因固晶膠爬膠造成芯片污染的可(kě)能;而固晶膠在烘烤固化過程中會有少量的揮發物,揮發物中含有的帶羟基的小分(fēn)子交聯劑,具有很高的化學活性,有很大(dà)可(kě)能是吸附污染主因。
那麽固晶膠揮發物是如(rú)何與芯片電極發生(shēng)吸附的呢(ne)?我們作(zuò)出了如(rú)下兩種推測:
①.含羟基小分(fēn)子交聯劑與芯片電極污染物發生(shēng)化學吸附
由于交聯劑本身(shēn)不會與金電極發生(shēng)反應,而芯片生(shēng)産過程中有殘留活性污染物的可(kě)能,故推測可(kě)能是交聯劑與電極制備過程中殘留的污染物發生(shēng)化學反應産生(shēng)吸附。
②.含羟基小分(fēn)子交聯劑與芯片電極發生(shēng)靜(jìng)電吸附
由于羟基中的氧原子電負性較強,使得(de)氫與氧之間的共用電子對向氧原子偏移,正負電中心不在平衡位置,使得(de)分(fēn)子顯電性,若芯片電極帶靜(jìng)電,則兩者就(jiù)會産生(shēng)靜(jìng)電引力,進而吸附在一起,形成污染。
2.1含羟基小分(fēn)子交聯劑與芯片電極污染物發生(shēng)化學吸附
2.1.1芯片污染物來(lái)源
芯片的污染可(kě)能來(lái)源于芯片制作(zuò)過程中引入的污染和固晶操作(zuò)時引入的污染(如(rú)操作(zuò)過程中觸碰芯片等)。
我們通過顯微鏡觀察發生(shēng)電極沾污的芯片,在其表面并沒有觀察到有人(rén)爲污染的痕迹(如(rú)指紋),因此可(kě)以排除因人(rén)工(gōng)操作(zuò)導緻的芯片污染。
而芯片的制備過程中需要進行多次光(guāng)刻,光(guāng)刻時涉及到顯影(yǐng)過程,目前常用的顯影(yǐng)劑是無機(jī)堿+雙氧水溶液(如(rú)碳酸鈉溶液),這一過程會在芯片電極表面殘留羟基等官能團。在後道工(gōng)序中,芯片廠(chǎng)商會加入化學試劑清洗及水洗步驟,對附着的離(lí)子污染進行清洗,但(dàn)有可(kě)能存在清洗不完全或清洗設備維護不當造成二次污染等情況。
如(rú)圖所示爲光(guāng)刻及顯影(yǐng)過程,光(guāng)刻膠透過掩膜闆經紫外光(guāng)曝光(guāng)後,再經過顯影(yǐng)劑的清洗,就(jiù)會留下與掩膜闆一緻的圖案,這一過程成爲“圖形化”,是下一步制作(zuò)芯片立體(tǐ)結構的必要工(gōng)序。
2.1.2固晶膠揮發物來(lái)源
固晶膠中帶有羟基的小分(fēn)子交聯劑由于分(fēn)子鏈短(duǎn),沸點較低,在加熱(rè)固化過程中未參與反應就(jiù)發生(shēng)揮發,含有的羟基基團和金電極上的殘留羟基通過氫和氧之間的氫鍵吸附在一起,而後進一步發生(shēng)化學反應。
什麽是氫鍵?
所謂氫鍵是指氫原子與電負性大(dà)的原子X(O、F、N等)以共價鍵結合,若與電負性大(dà)、半徑小的原子Y(O、F、N等)接近,在X與Y之間以氫爲媒介,生(shēng)成X-H…Y形式的一種特殊的分(fēn)子間或分(fēn)子内相(xiàng)互作(zuò)用,稱爲氫鍵。
2.1.3反應過程
如(rú)圖,當固晶膠中揮發出來(lái)的含羟基的小分(fēn)子交聯劑與電極表面殘留的羟基接觸時,羟基上的氧原子與另一個羟基上的氫産生(shēng)氫鍵,同樣的另一對氫和氧原子也形成一個氫鍵。
随後部分(fēn)氫鍵轉化爲共價鍵同時脫掉一個水分(fēn)子,産生(shēng)的水分(fēn)子在高溫烘烤下随烤箱熱(rè)風(fēng)排出,随着時間的延長,越來(lái)越多的交聯劑與殘留羟基發生(shēng)化學反應,最終使芯片表面留下了大(dà)量含C、O、Si元素的固晶膠污染物。
2.1.4實驗驗證
将确認幹淨無電極污染的芯片固在如(rú)所示的基片上,分(fēn)爲A和B; ① 将A用堿性溶液(碳酸鈉溶液)浸泡3分(fēn)鍾,然後用氮氣吹幹;② B不作(zuò)處理(lǐ)。
然後分(fēn)别在A和B的芯片周圍塗上等量的固晶膠,随後按圖示的方法用燒杯罩住A和B,并放(fàng)入烤箱烘烤(120℃/1H+160℃/2H)。
注:圖片采用暗場拍(pāi)攝,黑(hēi)色區域爲電極金屬層;芯片測試點爲芯片點亮測試過程中留下的痕迹
由圖可(kě)以明顯看(kàn)出,經過堿液浸泡處理(lǐ),固晶烘烤後電極表面有大(dà)量污染物附着;而未處理(lǐ)的幹淨芯片則基本沒有污染物。
說(shuō)明電極表面殘留的羟基等活性基團會與固晶膠揮發物反應造成電極表面有固晶膠附着。
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